Samsung anuncia que en 2027 logrará un proceso de fabricación de 1.4 nm

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En el marco del evento anual Samsung Foundry Forum, la compañía surcoreana ha anunciado una tremenda noticia. Y no es cualquier cosa, ya que tiene relación con los semiconductores y su proceso de fabricación.

Debido a la computación de alto rendimiento (HPC), el internet de las cosas (IoT), la inteligencia artificial (IA), conectividad 5G y el uso automotriz, la demanda de componentes y semiconductores ha tenido un crecimiento explosivo. A raíz de lo anterior, la empresa se ha tomado este tema en serio, haciendo anuncios importantes en esta materia.


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Pues resulta que Samsung ha anunciado su hoja de ruta de nodos avanzados. En la cual se destaca que en el año 2027 contará con una tecnología de proceso de fabricación de sólo 1.4 nanómetros (nm). Pero esto es gradual, ya que la compañía tiene una plataforma de fundición de silicio en la que actualmente ha logrado los 3 nm. Así mismo, ellos tienen planificado introducir el proceso de 2 nm en el año 2025, para luego en 2027 alcanzar los 1.4 nm.

Según cifras pronosticadas por la compañía, en el año 2027 más del 50% de la utilización de componentes será por equipos no relacionados a dispositivos móviles (teléfonos o tablets, por ejemplo). Es decir, más del 50% de la producción estará destinada a la conectividad 5 o 6G, internet de las cosas (IoT), automoción o la computación de alto rendimiento (HPC).

La operación “Shell-First” de Samsung
Con la finalidad de responder a la futura demanda y las necesidades de sus clientes, Samsung planea expandir su capacidad. La idea es contar con más espacio para la producción de los nodos avanzados, ampliando más de tres veces el volumen de aquí al año 2027.

Lo anterior incluye la construcción de su nueva fábrica en Taylor, Texas (Estados Unidos). Recordemos que actualmente, las líneas de fundición de Samsung se encuentran en 5 ubicaciones. Para el caso de Corea del Sur están en: Giheung, Hwaseong y Pyeongtaek; mientras que en Estados Unidos se encuentran en Austin y Taylor.

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